Prilaku fisis dari suatu semikonduktor trioda, disebut transistor persambungan bipolar (bipolar juntion transistor selanjutnya disingkat BJT), transistor mampu memberikan penguatan



• Transistor Persambungan
• Suatu transitor persambungan terdiri dari kristal silikon(atau germanium) dimana satu lapisan silikon tipe-n diapit diantara dua lapisan silikon tipe-p/disebut transistor p-n-p). Kemungkinan lain transistor terdiri dari satu lapisan silikon tipe-p diapit diantara dua lapisan silikon tipe-n / disebut transistor n-p-n).

• ketiga bagian transistor dikenal dengan sebagai emiter (penyebar), basis(landasan), kolektor (pengumpul).Panah pada emiter menyatakan arah aliran arus apabila persambungan emiter emiter-basis, dan kolektor IE, IB, IC dianggap positif apabila arus mengalir ke dalam transistor, simbol-simbol VEB, VCB, VCE adalah berturut-turut tegangan emiter-basis, colektor-basis, dan tegangan kolektor-emiter. Dalam kedua arus diatas
• Transistor rangkai terbuka. Apabila tidak ada prategangan luar diterapkan, semua arus-arus transistor sama dengan nol.
• Transistor diberi prategangan dalam daerah aktif. Sekarang disini transistor p-n-p diperlihatkan dengan sumber-sumber tegangan untuk memberi prategangan persambungan emiter-basis dalam arah kedepan.

• Dari persamaan itu, re = 26/IE , dimana IE adalah arus tenang (quiescent) emiter dalam miliampere. Misalnya, apabila re = 40 Ω, α’ = -1 dan RL = 3000 Ω, A = +75, Transistor memberikan bati daya (power gain) dan juga sebagai penguat tegangan dan arus. Arus dalam rangkaian dengan tahanan masuk yang rendah ditransfer ke rangkaian keluaran yang bertahanan tinggi. Kata ”transistor” semula berasal dari ”transfer resistor” dan didasarkan atas gambaran fisis.

• Berdasarkan anggapan bahwa α’ tak tergantung pada IE, maka dari persamaan (5-3) di peroleh α’= -α.
• KONFIGURASI EMITER SEKUTU
• Kebanyakan rangkaian transistor merupakan rangkaian emiter sekutu atau emiter yang dibumikan. Dalam konfigurasi emiter sekutu, arus masuk dan tegangan keluar diambil sebagai variable-variable bebas, sedangkan tegangan masuk dan arus keluaran sebagai variabel yang bergantung pada variable-variabel bebas tadi. Kita dapat tuliskan
• VBE = f1(VCE, IB)
• IC = f2(VCE, IB)


Jumat, 05 Februari 2010 Posted in | | 0 Comments »

One Responses to "RANGKAI TRANSISTOR"

Write a comment