Karakterist-karakteristik yang grafiknya digambar pada Gambar 5-16 dari arus keluaran sebagai fungsi dari tegangan masuk VBE untuk transistor-transistor p-n-p germanium dan silikon menunjukkan beberapa daerah operasi dari transistor CE.
Daerah Pancung. Pancung (cut off), berarti IE = 0 dan IC = IC0, dan ternyata sautu pra tegangan balik VBE, panc = 0,1(0) akan memutuskan suatu transistor germanium (silikon).
Basis yang dihubungkan pendek. Misalkan kita menyambung basis ke emiter sehingga VE = VBE = 0, Seperti ditunjukkan Gambar 5-16, IC = ICES tidak naik jauh melampaui nilai pancung (cutoff) IC0
Basis dirangkai terbuka. Apabila basis dihubungkan terbuka, kita biarkan basis ”terapung”, sehingga IB = 0, jika perolehan kita IC ≡ ICEO yang diberikan dalam persamaan


Pada arus kecil α ≈ 0,9 (0) untuk Germanium (Si), dan karenanya IC ≈ 10 ICO(ICO) untuk Ge (Si). Nilai VBE dihitung untuk keadaan basis terbuka ini (ICE = -IE) prategangan maju beberapa puluh milivolt seperti diperlihatkan dalam Gambar 5-16

Tegangan potong masuk. Persambungan emiter diberi prategangan maju sampai , dimana Vγ disebut tegangan potong masuk (tegangan ambang)/(cutin). Oleh karena arus kolektor nominal berbanding lurus dengan arus basis, tak ada arus kolektor yang berati yang akan mengalir sampai arus basis yang mangalir cukup besar. Pada hakekatnya suatu transistor memasuki daerah aktif apabila VBE > Vγ.
Tegangan jenuh. Tegangan VBE yang menyebabkan IC naik secara drastis. Tegangan-tegangan jenuh atau tegangan yang lain, tidak hanya tergantung pada titik operasi, akan tetapi juga pada bahan semikonduktornya.

Alat Dua terminal Dan Model Hibrida
V1 = h11i1 + h12v2
I2 = h21i1 + h22v2
h11, h12 dst disebut parameter h atau parameter hybrida.
i = 11 = masukan (hambatan masukan)
f = 21 = transfer ke depan/penguatan
o = keluaran
r =12 = transfer balik (konduktan)


Denyut (trigger pulse) sulut perlu setinggi
VB = IB.RB + 0,6V
Selama ada denyut masukan, pada dioda B-E terukur ada tegangan-tegangan terbalik

Jumat, 05 Februari 2010 Posted in | | 0 Comments »

One Responses to "SIFAT TRANSISTOR & TRANSISTOR PADA FREKUENSI RENDAH (KULIAH 8 AMIKOM)"

Write a comment